Kompanija Samsung sukūrė 4Gb(512MB) talpos DDR DRAM atminties integrinius grandynus(mikroschemas) naudojant 50nm technologijas. Naujieji grandynai naudoja 40% mažiau energijos nei ankstesni DDR3 gaminiai. Iš mikroschemų galima surinkti iki 32GB talpos DIMM modulius.
Pirmieji atminties moduliai skirti serveriams bus 16GB talpos (32 mikroschemos po 4Gb), stacionariems PC – 8G DDR3 DIMM ir nešiojamiems kompiuteriams - 8GB SO-DIMM
